陶氏化學(Dow Chemical)旗下之陶氏電子材料於日前發表最新化學機械研磨(CMP)銅製程，全新製程結合陶氏化學獨家RL3100無研磨粒、自停(Self-stopping)機制，以及VisionPad 5000 研磨墊，提供CMP銅製程高效能、低成本且高良率的解決方案。
陶氏電子材料CMP研磨液研發總監余維中表示，根據摩爾定律，半導體元件微縮需要全新的CMP製程方案，以因應主要的製造挑戰。該公司的研究與應用團隊直接與客戶合作，確保新的CMP解決方案，符合IC製造商對下一世代元件的需求。此一全新無研磨粒CMP製程是以此需求為發展基礎。由於其可提供顯著的製程優勢及成本效益，已引起業界極大的關注。
據了解，陶氏的RL3100+VisionPad 5000研磨墊CMP銅製程具有以下技術優勢，包括在不同的線寬與線譜密度下，均可產生Low-dishing及No-erosion的顯著優勢，且高銅研磨速率(High Cu Rate)、晶圓表面銅的清除能力(Clearing)、更具有對於阻絕層(Barrier Film)與介電層(Dielectric Film)的極高選擇比。另外，還具有高良率、嚴格的Rs控制、高產能，以及寬大的製程窗口。
余維中指出，含有研磨粒的研磨液，一般會形成Erosion或刮痕(Scratching)，RL3100獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低，以達成更高的良率。此外RL3100的稀釋能力，減免研磨墊的清洗及研磨墊Conditioning的減低，進而增加研磨墊的使用壽命，這些都是RL3100提供低成本的解決方案。
經實際生產測試，陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲90～45奈米12吋晶圓高產量製造商採用超過3年。同時，此一新世代無研磨粒解決方案也被領先的整合元件製造商(IDM)選為14奈米節點的記錄製程(Process of Record)，以及獲得主要晶圓代工廠選為28奈米的矽穿孔(TSV)製程。
